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Kurzpraktikum


 

 

Magnetotransport (Jülich)

Während des Praktikums können Einblicke in Transportmessungen an Halbleiterstrukturen gewonnen werden. Im Rahmen des Praktikums besteht die Möglichkeit unter Anleitung Messungen in einem He-3 Kryostaten bzw. in einem He-3/He-4 Mischkryostaten durchzuführen. Die genaue Funktionsweise der Kryostaten kann dabei kennengelernt werden. Wenn möglich können die Messungen auch an eignen Proben vorgenommen werden.

Ansprechpartner: Thomas Schäpers


SQUID Magnetometrie (Jülich)

Bei der Charakterisierung von verdünnten magnetischen Halbleitern sind SQUID (superconducting quantum interference device) Messungen von zentraler Bedeutung. Mit Hilfe eines SQUID Magnetometers kann die Magnetisierung in Abhängigkeit von der Temperatur und eines äußeren Magnetfeldes ermittelt werden. Bei verdünnten magnetischen Halbleitern ist oft die Sättigungsmagnetisierung sehr gering. Im Rahmen des Praktiums wird deshalb insbesondere erläutert, wie eine Messung mit hinreichender Empfindlichkeit durchgeführt werden kann und wie Messfehler vermieden werden können.

Ansprechpartner: Vitaliy Guzenko

GaN Molekularstrahlepitaxie (Jülich)

Molekularstrahlepitaxie (MBE) ist eine vielseitige Technik um dünne epitaxiale Strukturen aus Halbleitern, Metallen oder Isolatoren zu wachsen. Im Jülicher MBE Labor ist das Ziel optimierte GaN Schichten auf unterschiedlichen Substraten abzuscheiden, um so Halbleiter/Ferromagnetstrukturen für spinelektronische Anwendungen herzustellen. Im Rahmen des Laborpraktikums werden die verschiedenen Aspekte hinsichtlich des Wachstum von GaN Heterostrukturen erläutert.

Ansprechpartner: Raffella Calarco

MBE und RHEED (Göttingen)

Mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) werden einkristalline Halbleiterschichten in Ultrahochvakuum (UHV) hergestellt. Komplexe Multischichtstrukturen können auf einem geheizten Substrat abgeschieden werden. Die Zusammensetzung, die Dicke und die Dotierung mit fremden Stoffen können dabei sehr genau gesteuert werden.
Während des Kurzpraktikums wird die Epitaxie von GaN in einem hochmodernen Gen II MBE System durchgeführt. Der Wachstumsprozeß vom GaN hängt sehr stark von den relativen Ga und N Flüssen, die für optimales Wachstum genau eingestellt werden müssen. Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED) wird eingestzt um die Beschaffenheit der Substratoberfläche zu untersuchen sowie um den Wachstumsprozeß online zu kontrollieren.

Ansprechpartner: Angela Rizzi

Weitere Angebote folgen in Kürze ...
 


Im Rahmen eines Kurzpraktikums (1-2 Tage) wird Studenten und Doktoranden der Visel-Arbeitsgruppen in Aachen, Göttingen und Jülich die Möglichkeit gegeben Einblicke in die experimentellen Methoden der Partnerarbeitsgruppen zu gewinnen.

Interessenten können sich direkt mit der angegebenen Kontaktperson in Verbindung setzen um einen geeigneten Termin zu vereinbaren.

GaN Molekularstrahlepitaxie-Anlage in Jülich
(R. Calarco und K.-H. Deussen)

Copyright   Forschungszentrum Jülich
D-52425 Jülich

RWTH Aachen
Uni Göttingen

 

Kontakt Impressum 12.12.2012
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