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IV. Physikalisches Institut, Universität Göttingen


GaN basierte Heterostrukturen
DMS


Unsere Arbeitsgruppe befasst sich mit der Molekularstrahlepitaxie (MBE) von ferromagnetisch ordnenden, verdünnten magnetischen Halbleitern auf der Basis von GaN (zunächst GaMnN).

Transmissionselektronenmikroskopie mit energiedispersiver Röntgenspektroskopie wird zur strukturellen und chemischen Analyse eingesetzt. Die Wechselwirkungen magnetischer Verunreinigungen in den gewachsenen Schichten und Heterostrukturen werden experimentell untersucht.
Eine Methode ist der temperaturabhängige anomalous Hall-Effekt, der einen eindeutigen Beweis der ferromagnetischen Eigenschaften eines verdünnten Halbleiters mit Spin polarisierten freien Ladungsträgern darstellt.


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